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半導(dǎo)體碳化硅（SiC）襯底加工技術(shù)詳解

轉(zhuǎn)：在單晶生長工藝中獲得SiC晶碇之后，接下來進行的是SiC襯底的精細制備過程。這一過程包括以下幾個關(guān)鍵步驟：1. 磨平：首先對SiC晶碇進行磨平處理，以消除表面的不平整和生長過程中可能產(chǎn)生的缺陷。2. 滾圓：隨后進行滾圓工序，目的是使晶碇的邊緣變得光滑，為后續(xù)的切割工作做準備。3. 切割：使用精密的切割技術(shù)將SiC晶碇分割成多個薄片，這些薄片將作為襯底使用。4. 研磨（減薄）：對切割后的SiC薄

2025-06-13 LH 1315

8寸半導(dǎo)體廠能生產(chǎn)哪些芯片？

轉(zhuǎn)：8英寸（200mm）半導(dǎo)體產(chǎn)線在當前的半導(dǎo)體制造中主要應(yīng)用于成熟制程，其線寬（工藝節(jié)點）范圍通常在 90nm至350nm之間，通過設(shè)備升級和工藝改進，部分8英寸產(chǎn)線可支持 65nm節(jié)點，但需要高精度光刻機（如深紫外光刻DUV）和更嚴格的過程控制，成本顯著增加。汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Τ墒旃に囆酒枨笸ⅲ@些應(yīng)用對線寬要求較低，但對可靠性和成本敏感，8英寸產(chǎn)線成為理想選擇。1.功

2025-05-08 LH 247

人形機器人技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究，我國傳感器等核心技術(shù)處于什么水平？

本論文由中國工程院王耀南院士團隊撰寫，發(fā)表于中國工程院院刊《中國工程科學(xué)》2025年第1期，主要闡述了我國人形機器人技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢，涵蓋傳感器、電機、減速器等全鏈條核心零部件發(fā)展現(xiàn)狀和情況。王耀南院士是機器人技術(shù)與智能控制專家，主要從事智能機器人感知與控制技術(shù)及工程應(yīng)用研究。編者按機器人被譽為“制造業(yè)皇冠頂端的明珠”。人形機器人是智能機器人技術(shù)的結(jié)晶，可以在特定行業(yè)如醫(yī)療護理、家庭服務(wù)、教育娛

2025-04-15 LH 391

互補場效應(yīng)晶體管（CFET）

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA, Gate-all-Around）全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等先進結(jié)構(gòu)，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進一步微縮的挑戰(zhàn)日益顯現(xiàn)。為了延續(xù)摩爾定律的發(fā)展趨勢，并滿足未來高性能計算的需求，業(yè)界正積極研發(fā)下一代晶體管

2025-03-11 LH 612

射頻前端芯片分析：國內(nèi)與海外的差距及影響

（轉(zhuǎn)）在當今的通信技術(shù)領(lǐng)域，射頻前端設(shè)計至關(guān)重要，它是實現(xiàn)無線信號收發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其性能直接影響著通信設(shè)備的質(zhì)量和用戶體驗。射頻前端設(shè)計公司由于產(chǎn)品具有技術(shù)密集、更新?lián)Q代快等特性，需要持續(xù)的高研發(fā)投入來保持競爭力。射頻前端芯片產(chǎn)品涉及多種復(fù)雜技術(shù)，如濾波器、功率放大器、低噪聲放大器等的設(shè)計與制造工藝。這些技術(shù)不僅要滿足不斷提升的通信標準，如從4G 到 5G 乃至未來 6G 的演進，還要適應(yīng)各類終端

2025-02-06 LH 491

舊聞新看：一文看懂算力核心HBM的技術(shù)特點

英偉達最新推出的NVIDIA HGX™ H200，該平臺基于NVIDIA Hopper架構(gòu)，是首款提供HBM3e內(nèi)存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大語言模型，同時推進HPC工作負載的科學(xué)計算。不僅如此，英偉達計劃2024年推出Blackwell架構(gòu)B100 GPU。分析師預(yù)期，從B100架構(gòu)開始，英偉達將采用Chiplet技術(shù)，對臺積電先進封裝將采用CoWoS-L技術(shù)。且不止一

2025-01-02 LH 732

全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)

GAAFET的誕生隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，摩爾定律逐漸逼近物理極限。當晶體管尺寸縮小到7納米以下時，傳統(tǒng)的平面MOSFET和FinFET遇到了難以克服的技術(shù)瓶頸，如短溝道效應(yīng)（SCEs），這導(dǎo)致了漏電流增加、閾值電壓不穩(wěn)定等問題。從平面晶體管到FinFET的演變?yōu)榱死^續(xù)實現(xiàn)邏輯縮放超越5納米技術(shù)節(jié)點，并解決FinFET在進一步縮小時遇到的問題，行業(yè)開始探索新的晶體管架構(gòu)——環(huán)繞柵極納米片場效應(yīng)晶體管

2024-12-18 LH 1132

Wolfspeed：8吋SiC晶圓收入首超6吋，業(yè)務(wù)規(guī)劃有重大變化

11月6日，Wolspeed公布了2025年財年第一季度業(yè)績報告。據(jù)稱，Wolspeed該季度實現(xiàn)營收約1.95億美元（約合人民幣14.04億），與去年同期基本持平，凈虧損約2.82億美元（約合人民幣20.3億），同比減虧約1.14億美元（約合人民幣8.2億），減虧比例為28.68%。Wolspeed 首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 在財報中透露，該季度碳化硅業(yè)務(wù)在汽車領(lǐng)域獲得重要增長，8英寸收

2024-11-14 LH 241