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半導(dǎo)體芯片制造中“退火工藝（Thermal Annealing）”技術(shù)的詳解

轉(zhuǎn)：愛在七夕時(shí)退火工藝（Thermal Annealing）技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，它通過(guò)在高溫下處理硅片來(lái)改善材料的電學(xué)和機(jī)械性能。退火的主要目的是修復(fù)晶格損傷、激活摻雜劑、改變薄膜特性以及形成金屬硅化物。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，特別是特征尺寸的持續(xù)減小，對(duì)退火工藝（Thermal Annealing）技術(shù)的要求也越來(lái)越高。本期中主要跟大家分享的是：退火工藝（Thermal Anne

2024-10-14 LH 10212

EUV與真空：半導(dǎo)體光刻工藝中不可或缺的真空系統(tǒng)

以下文章來(lái)源于真空聚焦，作者真空聚焦我們都知道，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈分為IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封測(cè)三大環(huán)節(jié)。光刻的主要作用是將掩模版上的芯片電路圖轉(zhuǎn)移到硅片上，是IC制造的核心環(huán)節(jié)，也是整個(gè)IC制造中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟。芯片在生產(chǎn)過(guò)程中一般需要進(jìn)行20~30次光刻，耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)硅片工藝的40～60%，成本極高，約為整個(gè)硅片制造工藝的1/3。▲通過(guò)激光或電子束直接寫在光掩模板上，然后用激光輻

2024-09-11 LH 3356

傳感器國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)趨勢(shì)下，毫米波雷達(dá)中的機(jī)會(huì)在哪里？（深度分析）

一、毫米波雷達(dá)市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算1)整體乘用車市場(chǎng)毫米波雷達(dá)的增長(zhǎng)不僅來(lái)源于雷達(dá)配置滲透率的提升，還很大程度上得益于多雷達(dá)方案滲透率的快速提升。特別是NOA（Navigate on Autopilot，領(lǐng)航輔助駕駛）、行泊一體的落地以及未來(lái)高階自動(dòng)駕駛方案的落地，將會(huì)直接推動(dòng)5R（指單車配置毫米波雷達(dá)數(shù)量為5個(gè)）方案安裝量的上升。①供應(yīng)端：國(guó)內(nèi)外Tier1供應(yīng)商行泊一體方案已大量落地，且已發(fā)布多種L3方

2024-08-08 LH 468

氧化鎵會(huì)取代碳化硅嗎？一文看懂氧化鎵

近來(lái)，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代半導(dǎo)體”，與第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達(dá)到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。并且，在同等規(guī)格下，寬禁帶材料可以制造die

2024-07-02 LH 917

半導(dǎo)體制造過(guò)程中有哪些污染物？

污染物是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的頭號(hào)公敵，為了應(yīng)對(duì)這一工地半導(dǎo)體廠都會(huì)有潔凈室，氣體檢測(cè)儀，機(jī)臺(tái)內(nèi)部也會(huì)有微環(huán)境來(lái)防止污染物進(jìn)入到硅片上面。而污染物也可能成為后面制程中的致命缺陷。污染物大概有以下幾種1.微粒 particle2.金屬離子3.化學(xué)物質(zhì)4.細(xì)菌5.空氣中的分子污染微粒：半導(dǎo)體制造中的特征尺寸是納米級(jí)別的，因此環(huán)境中的微粒控制對(duì)產(chǎn)品的良率有著及其重要的影響。有可能使得器件短路電阻增加，也可

2024-06-04 LH 1224

基于聚焦叉指換能器的環(huán)形SAW陀螺儀（MEMS）

聲表面波（SAW）陀螺儀利用一種被稱為SAW陀螺效應(yīng)的現(xiàn)象來(lái)測(cè)量旋轉(zhuǎn)角速度。由于簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)MEMS陀螺儀所需的懸浮振動(dòng)機(jī)制，SAW陀螺儀非常適合在惡劣環(huán)境中應(yīng)用。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，西北工業(yè)大學(xué)機(jī)電學(xué)院常洪龍教授團(tuán)隊(duì)首次提出了一種使用聚焦叉指換能器（FIDT）的新型環(huán)形駐波模式SAW陀螺儀。傳統(tǒng)SAW陀螺儀使用線性IDT產(chǎn)生聲表面波，會(huì)導(dǎo)致波束偏轉(zhuǎn)和能量耗散，而該研究團(tuán)隊(duì)使用FIDT根據(jù)結(jié)構(gòu)特

2024-05-06 LH 246

TSSG 法生長(zhǎng) SiC 晶體的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

與PVT法不同的是，TSSG法生長(zhǎng)SiC晶體過(guò)程中固-液界面附近具有更低的生長(zhǎng)溫度和更小的溫度梯度，有助于弱化晶體內(nèi)部應(yīng)力并提高臨界剪切應(yīng)力值。同時(shí)，溶液法長(zhǎng)晶過(guò)程中所釋放的結(jié)晶潛熱比氣相法中釋放的結(jié)晶潛熱更低，可增強(qiáng)界面附近生長(zhǎng)環(huán)境的穩(wěn)定性。上述特點(diǎn)促使TSSG法在制備SiC晶體中表現(xiàn)出多方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。1. 零微管和低位錯(cuò)密度微管是限制SiC材料應(yīng)用的主要障礙之一，被稱為殺手型缺陷，其存在

2024-04-09 LH 798

半導(dǎo)體專題篇：半導(dǎo)體設(shè)備

文章大綱晶圓制造設(shè)備封裝設(shè)備測(cè)試設(shè)備晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)中的重要組成部分，下面將對(duì)這三種半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)介紹。1. 晶圓制造設(shè)備1.1 晶圓制造設(shè)備的種類晶圓制造設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中最重要的設(shè)備之一，主要分為前道工藝設(shè)備和后道工藝設(shè)備兩類。前道工藝設(shè)備是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要設(shè)備，主要用于晶圓制造環(huán)節(jié)。以下是前道工藝設(shè)備的詳細(xì)介紹：（1）薄膜沉積設(shè)備：薄膜沉積設(shè)備

2024-03-27 lh 1172