射頻前端芯片分析：國內與海外的差距及影響

（轉）在當今的通信技術領域，射頻前端設計至關重要，它是實現無線信號收發的關鍵環節，其性能直接影響著通信設備的質量和用戶體驗。射頻前端設計公司由于產品具有技術密集、更新換代快等特性，需要持續的高研發投入來保持競爭力。射頻前端芯片產品涉及多種復雜技術，如濾波器、功率放大器、低噪聲放大器等的設計與制造工藝。這些技術不僅要滿足不斷提升的通信標準，如從4G 到 5G 乃至未來 6G 的演進，還要適應各類終端

2025-02-06 LH 359

完成SEMICON/FPD China 2025觀眾預注冊 抽三星折疊手機

SEMICON/FPD China 2025 觀眾預注冊SEMICONChina/FPD China2025將于2025年3月26日-28日在上海新國際博覽中心N1-N5、E6-E7、T0-T3館盛大舉行。海內外半導體產業鏈的領軍企業齊聚一堂，是您把握產業趨勢、了解最新技術、找到商業伙伴的必選之地！2025年3月7日前注冊的觀展觀眾，入場胸牌提前派送，省去現場排隊煩惱。SEMICON China

2025-01-03 lh 343

量伙半導體恭祝大家元旦快樂！

2025-01-03 LH 125

舊聞新看：一文看懂算力核心HBM的技術特點

英偉達最新推出的NVIDIA HGX™ H200，該平臺基于NVIDIA Hopper架構，是首款提供HBM3e內存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大語言模型，同時推進HPC工作負載的科學計算。不僅如此，英偉達計劃2024年推出Blackwell架構B100 GPU。分析師預期，從B100架構開始，英偉達將采用Chiplet技術，對臺積電先進封裝將采用CoWoS-L技術。且不止一

2025-01-02 LH 601

全環繞柵極晶體管(GAAFET)

GAAFET的誕生隨著半導體技術的發展，摩爾定律逐漸逼近物理極限。當晶體管尺寸縮小到7納米以下時，傳統的平面MOSFET和FinFET遇到了難以克服的技術瓶頸，如短溝道效應（SCEs），這導致了漏電流增加、閾值電壓不穩定等問題。從平面晶體管到FinFET的演變為了繼續實現邏輯縮放超越5納米技術節點，并解決FinFET在進一步縮小時遇到的問題，行業開始探索新的晶體管架構——環繞柵極納米片場效應晶體管

2024-12-18 LH 878

中芯國際，躋身全球晶圓代工前三

12月17日資訊，根據市場調研機構TrendForce最新發布的報告，2024年第三季度，全球晶圓代工市場格局中，臺積電繼續穩居榜首，其市場占有率高達64.9%，并進一步擴大了與第二名三星的差距，后者市占率僅為9.3%，這是TrendForce記錄以來，三星市占率首次跌破10%的關口。與此同時，中芯國際在第三季度實現了0.3%的增長，市占率達到6%，正逐步縮小與三星的差距。中國晶圓代工企業在成熟制

2024-12-18 LH 135

“滬嘉之約、創新合作”，2024“浙里好成果”走進嘉興暨滬嘉青年博士創新合作對接活動在南湖實驗室舉行

2024年11月16號量伙半導體受主辦單位：嘉興市科學技術局和上海科學技術交流中心的邀請，參加在南湖實驗室舉辦的2024“浙里好成果”走進嘉興暨滬嘉青年博士創新合作對接活動，并在現場與北京理工大學進行了理嘉-量伙半導體裝備聯合研發實驗室項目的簽約儀式。本次活動以“滬嘉之約、創新合作”為主題，鏈接滬嘉兩地，邀請知名專家、學者、青年博士，匯聚產業、學術、科研等行業精英，分享科研成果，探索科技創新與產業

2024-12-11 LH 309

Wolfspeed：8吋SiC晶圓收入首超6吋，業務規劃有重大變化

11月6日，Wolspeed公布了2025年財年第一季度業績報告。據稱，Wolspeed該季度實現營收約1.95億美元（約合人民幣14.04億），與去年同期基本持平，凈虧損約2.82億美元（約合人民幣20.3億），同比減虧約1.14億美元（約合人民幣8.2億），減虧比例為28.68%。Wolspeed 首席執行官 Gregg Lowe 在財報中透露，該季度碳化硅業務在汽車領域獲得重要增長，8英寸收

2024-11-14 LH 206