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        • AI+AR浪潮下,2025年OLEDoS進(jìn)入快車道

          2025年,近眼顯示產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新的發(fā)展階段,這一年里,輕量化的AI+AR顯示眼鏡加快走向消費(fèi)市場(chǎng),在AI的賦能下,AR眼鏡的應(yīng)用不再局限于娛樂(lè)領(lǐng)域,而是向辦公、工業(yè)、醫(yī)療等垂直領(lǐng)域擴(kuò)展,逐步發(fā)展為新的生產(chǎn)力工具。轉(zhuǎn):隨著應(yīng)用場(chǎng)景的轉(zhuǎn)變,AR眼鏡對(duì)近眼顯示技術(shù)提出了更高的要求,目前主流廠商的近眼顯示技術(shù)主要包含LCoS、LEDoS和OLEDoS三種,本文將聚焦OLEDoS技術(shù),從資本熱度、產(chǎn)業(yè)基建、終

          2025-12-09 LH 110

        • 出發(fā),向莫干山!量伙半導(dǎo)體的48小時(shí)“充電”之旅

          出發(fā),向莫干山!量伙半導(dǎo)體的48小時(shí)“充電”之旅感/受/極/致/秋/意自然美景極致秋意 十一月,是豐收的季節(jié),也是沉淀的時(shí)節(jié)。我們暫別城市的鋼鐵森林,懷揣著對(duì)秋日山野的無(wú)限憧憬,向著莫干山出發(fā)。 此行,不僅是為了風(fēng)景,更是為了一次團(tuán)隊(duì)的深度凝聚。go!出發(fā)!!一起尋找秋天一起尋找秋天 秋日的莫干山,是上天打翻的調(diào)色盤(pán)。竹海翻涌著金色的浪。山風(fēng)拂過(guò),帶來(lái)丹桂的暗香與一絲清冽,漫步其間,時(shí)光都仿佛

          2025-11-18 LH 610

        • 干貨滿滿,詳細(xì)解讀下一代HBM架構(gòu)!

          轉(zhuǎn):本文將詳細(xì)介紹下一代HBM標(biāo)準(zhǔn),包括HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8,每一代都將提供巨大的進(jìn)步,以滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心和AI需求。在韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)和Tera(TB互連和封裝實(shí)驗(yàn)室)最近的一份報(bào)告中,兩家公司概述了HBM的路線圖,并詳細(xì)介紹了對(duì)下一代標(biāo)準(zhǔn)的期望。該報(bào)告概述了幾個(gè)新的和即將推出的HBM標(biāo)準(zhǔn),如HBM4、HBM5、HBM6、HBM7和HBM8。首先是H

          2025-11-13 LH 438

        • 內(nèi)存市場(chǎng)步入“超級(jí)周期”,AI推動(dòng)價(jià)格全面飆升

          轉(zhuǎn):當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)正處在AI驅(qū)動(dòng)的新需求浪潮與地緣政治引發(fā)的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)并存的復(fù)雜局面,內(nèi)存和先進(jìn)制程(如HBM)受益于AI增長(zhǎng),而汽車等傳統(tǒng)行業(yè)則因功率芯片的供應(yīng)危機(jī)面臨巨大不確定性。內(nèi)存價(jià)格全面飆升多家機(jī)構(gòu)分析指出,全球內(nèi)存市場(chǎng)在人工智能需求的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)下,正進(jìn)入一個(gè)可持續(xù)數(shù)年的“超級(jí)周期”。摩根士丹利預(yù)測(cè),到2027年,全球內(nèi)存市場(chǎng)規(guī)模有望突破3000億美元。德邦證券強(qiáng)調(diào),與此前由消費(fèi)電子驅(qū)動(dòng)的

          2025-11-05 LH 180

        • 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X!速率登頂10667Mbps

          轉(zhuǎn):據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站信息更新,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品,最高速率達(dá)到10667Mbps。據(jù)官網(wǎng)產(chǎn)品信息介紹,“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計(jì),長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升,目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量,最高速率達(dá)到10667Mbps ,達(dá)到國(guó)際主流水平,較上一代LPDDR5提升了6

          2025-10-30 LH 445

        • 中國(guó)對(duì)安世半導(dǎo)體實(shí)施出口管制,回應(yīng)荷蘭政府接管

          轉(zhuǎn):當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月14日,彭博社報(bào)道,中國(guó)政府在荷蘭政府接管安世半導(dǎo)體(Nexperia)后,迅速采取出口管制措施,禁止其中國(guó)子公司及分包商出口部分組件。此舉發(fā)生在中美即將再展開(kāi)貿(mào)易談判的敏感時(shí)刻,也凸顯中歐在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈與安全問(wèn)題上的緊張關(guān)系進(jìn)一步升級(jí)。荷蘭政府此前援引一部冷戰(zhàn)時(shí)期的法律《物資供應(yīng)法》(Goods Availability Act),對(duì)安世半導(dǎo)體實(shí)施接管,以確保歐洲能夠繼續(xù)獲得其

          2025-10-15 LH 453

        • 恭喜我司再度中標(biāo)華鑫微納全自動(dòng)設(shè)備項(xiàng)目!

          2025-10-11 LH 187

        • 臨時(shí)鍵合和解鍵合工藝技術(shù)研究

          轉(zhuǎn):超薄晶圓的機(jī)械強(qiáng)度低,翹曲度高,為解決其支撐和傳輸過(guò)程中碎片率高的問(wèn)題,同時(shí)也為提高產(chǎn)品良率及性能,通常采用臨時(shí)鍵合和解鍵合的工藝方法。通過(guò)介紹臨時(shí)鍵合工藝和解鍵合工藝技術(shù),并根據(jù)工藝需求提出了臨時(shí)鍵合設(shè)備和解鍵合設(shè)備的結(jié)構(gòu)和原理。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,對(duì)各種元器件功能、性能和集成度的要求也越來(lái)越高,TSV互連和三維堆疊型3D集成已經(jīng)進(jìn)入了主流半導(dǎo)體制造,以解決“摩爾定律”物理擴(kuò)展的局限性,同

          2025-09-18 LH 324

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