長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X！速率登頂10667Mbps
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據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站信息更新，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品，最高速率達(dá)到10667Mbps。據(jù)官網(wǎng)產(chǎn)品信息介紹，“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計(jì)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達(dá)到10667Mbps ，達(dá)到國(guó)際主流水平，較上一代LPDDR5提升了66%，同時(shí)可以兼容LPDDR5，功耗則比LPDDR5降低了30%?！?/span>
基于上述信息，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的LPDDR5X產(chǎn)品速率已覆蓋8533Mbps至10667Mbps，其中10667Mbps速率實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)首次技術(shù)突破，直接躋身業(yè)界先進(jìn)水平。
重大突破！國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫LPDDR5X首次登頂10667Mbps速率
根據(jù)官網(wǎng)信息和行業(yè)消息，目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X的產(chǎn)品包括顆粒、芯片及模組等形態(tài)。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個(gè)容量點(diǎn)。芯片形態(tài)提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個(gè)容量點(diǎn)的解決方案。模組形態(tài)的LPCAMM產(chǎn)品容量為16GB和32GB。LPDDR5X產(chǎn)品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時(shí)兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產(chǎn)品已于今年5月量產(chǎn)，10667Mbps速率的產(chǎn)品已經(jīng)啟動(dòng)客戶送樣。
值得注意的是速率覆蓋至10667Mbps這一業(yè)界先進(jìn)水準(zhǔn)——這一速率與SK海力士去年10月量產(chǎn)的同規(guī)格產(chǎn)品完全對(duì)標(biāo)，短短一年后國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫LPDDR5X就在該速率級(jí)別實(shí)現(xiàn)首次技術(shù)突破，意義重大！ 同時(shí)，LPDDR5X可以兼容LPDDR5，功耗則比LPDDR5降低了30%，在追求“高頻低耗“的主流市場(chǎng)方向上進(jìn)一步領(lǐng)跑。
從技術(shù)與產(chǎn)業(yè)價(jià)值來(lái)看，10667Mbps速率的突破堪稱“解渴”。當(dāng)前端側(cè)AI應(yīng)用爆發(fā)，內(nèi)存帶寬已成為制約設(shè)備性能的關(guān)鍵瓶頸——實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，搭載10.7Gbps（即上述10667Mbps）速率內(nèi)存的設(shè)備，運(yùn)行Llama 2等大型語(yǔ)言模型時(shí)，響應(yīng)速度、語(yǔ)音轉(zhuǎn)譯等任務(wù)效率都大大提升。對(duì)旗艦手機(jī)而言，這一速率可輕松支撐8K視頻連拍、高幀率游戲多開(kāi)等高頻場(chǎng)景，解決了此前國(guó)產(chǎn)終端完全依賴韓系內(nèi)存才能實(shí)現(xiàn)極致性能的痛點(diǎn)。
首創(chuàng)uPoP?小型封裝 在研封裝創(chuàng)新或挑戰(zhàn)0.58mm極致薄度
據(jù)官網(wǎng)信息，“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X 首創(chuàng)uPoP?小型封裝，滿足移動(dòng)旗艦手機(jī)更輕更薄的需求，以超強(qiáng)性能優(yōu)化使用體驗(yàn)，助力設(shè)備突破性能瓶頸，開(kāi)啟移動(dòng)智能新體驗(yàn)。”
封裝技術(shù)的創(chuàng)新嘗試也從側(cè)面印證了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在上周ASICON閉幕演講上分享的產(chǎn)品研發(fā)重大進(jìn)展：正在研發(fā)一款厚度僅為0.58mm的LPDDR5X，如果這款產(chǎn)品成功量產(chǎn)，將會(huì)是業(yè)內(nèi)最薄的LPDDR5X產(chǎn)品。
據(jù)悉，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前正在開(kāi)發(fā)的HiTPoP封裝技術(shù)嚴(yán)格遵循JEDEC制定的焊球布局標(biāo)準(zhǔn)，確保與現(xiàn)有主板設(shè)計(jì)兼容，但通過(guò)減薄技術(shù)，有望改善因SoC溫升導(dǎo)致的DRAM高速I(mǎi)O性能瓶頸。這一技術(shù)如果成功量產(chǎn)，無(wú)疑會(huì)助力國(guó)產(chǎn)LPDDR5X繼續(xù)突破性能瓶頸。
結(jié)合行業(yè)對(duì)超薄封裝的技術(shù)探索（如三星0.65mm封裝、美光0.61mm封裝），長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此次在高速率基礎(chǔ)上的技術(shù)布局，還能契合終端設(shè)備“輕薄化”需求。更薄的封裝可節(jié)省主板空間，為手機(jī)塞進(jìn)更大容量電池、多攝模組創(chuàng)造條件，同時(shí)提升散熱效率，避免高負(fù)載下的性能降頻。
對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn)水平，LPDDR5X發(fā)布或加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
從行業(yè)演進(jìn)角度看，這一進(jìn)展體現(xiàn)長(zhǎng)鑫在產(chǎn)品化節(jié)奏上的提升。JEDEC于2023年7月發(fā)布LPDDR5X標(biāo)準(zhǔn)后，三星、SK海力士等廠商已在2024年實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品的量產(chǎn)，而長(zhǎng)鑫快速跟進(jìn)僅在一年后即推出10667Mbps的頂配速率，更通過(guò)12GB至32GB的多容量布局尋求差異化競(jìng)爭(zhēng)——尤其是24GB、32GB大容量版本，剛好匹配AI手機(jī)、智能座艙等場(chǎng)景對(duì)大內(nèi)存的需求。
行業(yè)人士分析，“長(zhǎng)鑫新推出的LPDDR5X登頂10667Mbps速率的突破已標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)從‘能造’向‘造好’邁進(jìn)，隨著產(chǎn)能提升，有望快速實(shí)現(xiàn)全品類產(chǎn)品量產(chǎn)?！遍L(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此次推出LPDDR5X不僅進(jìn)一步完善了其產(chǎn)品線，更表明國(guó)產(chǎn)LPDDR5X內(nèi)存在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的同時(shí)，在核心性能上完成了與國(guó)際巨頭的“對(duì)齊”，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程已進(jìn)入新的階段。
