內(nèi)存市場步入“超級周期”，AI推動價(jià)格全面飆升

當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)正處在AI驅(qū)動的新需求浪潮與地緣政治引發(fā)的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)并存的復(fù)雜局面，內(nèi)存和先進(jìn)制程（如HBM）受益于AI增長，而汽車等傳統(tǒng)行業(yè)則因功率芯片的供應(yīng)危機(jī)面臨巨大不確定性。

多家機(jī)構(gòu)分析指出，全球內(nèi)存市場在人工智能需求的強(qiáng)勁驅(qū)動下，正進(jìn)入一個可持續(xù)數(shù)年的“超級周期”。

摩根士丹利預(yù)測，到2027年，全球內(nèi)存市場規(guī)模有望突破3000億美元。德邦證券強(qiáng)調(diào)，與此前由消費(fèi)電子驅(qū)動的周期不同，本輪周期由AI計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施需求主導(dǎo)，預(yù)計(jì)可持續(xù)性更強(qiáng)。

在“庫存為王”的背景下，上游原廠控制出貨并持續(xù)漲價(jià)。美光已通知渠道商內(nèi)存產(chǎn)品漲價(jià)20%-30%；三星預(yù)計(jì)第四季度DRAM漲價(jià)15%-30%，NAND漲價(jià)5%-10%。行業(yè)人士稱，四大內(nèi)存品類全面缺貨的情況“前所未有”。

美光科技高管預(yù)警，到2026年DRAM供應(yīng)將面臨“極端緊張”。由于AI服務(wù)器對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求激增（其消耗的晶圓量是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍），即使投入新產(chǎn)能，供應(yīng)壓力仍將巨大。

三星電子將其12層HBM3E產(chǎn)品價(jià)格下調(diào)約30%（至約200美元），顯著低于SK海力士的同類產(chǎn)品（約300美元）。

海力士HBM4芯片面臨外包生產(chǎn)帶來的高成本，以及來自英偉達(dá)的定價(jià)壓力，為應(yīng)對競爭并實(shí)現(xiàn)其50萬億韓元的盈利目標(biāo)，其必須持續(xù)優(yōu)化技術(shù)和成本。

集邦咨詢（TrendForce）調(diào)查顯示，2025年下半年晶圓代工產(chǎn)能利用率超出預(yù)期，需求來源于AI、智能手機(jī)銷售旺季以及IC廠商的低庫存水平。AI服務(wù)器周邊IC的訂單擠占了部分消費(fèi)電子產(chǎn)能。

部分代工廠計(jì)劃在2026年上調(diào)服務(wù)價(jià)格，尤其是在BCD、功率器件等產(chǎn)能緊張的工藝平臺。這標(biāo)志著成熟工藝的激烈價(jià)格競爭暫告一段落，但2026年消費(fèi)電子需求疲軟等風(fēng)險(xiǎn)仍需警惕。

荷蘭對安世半導(dǎo)體的干預(yù)，引發(fā)了全球功率半導(dǎo)體市場的震蕩，并對歐美汽車制造業(yè)構(gòu)成嚴(yán)重威脅。安世半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM廠商，其小信號二極管、晶體管等多項(xiàng)產(chǎn)品出貨量全球第一，汽車級功率MOSFET位居全球第二。其東莞工廠產(chǎn)能占公司總產(chǎn)能的80%。

供應(yīng)鏈消息稱，二極管、MOSFET等關(guān)鍵元器件庫存緊張，汽車級產(chǎn)品交期已延長至12周以上。預(yù)計(jì)第四季度價(jià)格將普遍上漲5%-15%，高端產(chǎn)品漲幅可能超20%。

歐洲汽車制造商協(xié)會（ACEA）警告，現(xiàn)有芯片庫存僅能維持?jǐn)?shù)周，若不迅速解決，歐洲汽車生產(chǎn)將面臨“嚴(yán)重中斷”。美國汽車創(chuàng)新聯(lián)盟也敦促盡快解決，否則將對全球汽車業(yè)產(chǎn)生溢出效應(yīng)。