長鑫存儲官宣發布LPDDR5X！速率登頂10667Mbps

轉：據長鑫存儲官方網站信息更新，長鑫存儲已正式推出LPDDR5X產品，最高速率達到10667Mbps。據官網產品信息介紹，“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。通過創新的封裝技術和優化的內存設計，長鑫存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達到10667Mbps ，達到國際主流水平，較上一代LPDDR5提升了6

2025-10-30 LH 231

中國對安世半導體實施出口管制，回應荷蘭政府接管

轉：當地時間10月14日，彭博社報道，中國政府在荷蘭政府接管安世半導體（Nexperia）后，迅速采取出口管制措施，禁止其中國子公司及分包商出口部分組件。此舉發生在中美即將再展開貿易談判的敏感時刻，也凸顯中歐在半導體供應鏈與安全問題上的緊張關系進一步升級。荷蘭政府此前援引一部冷戰時期的法律《物資供應法》（Goods Availability Act），對安世半導體實施接管，以確保歐洲能夠繼續獲得其

2025-10-15 LH 306

恭喜我司再度中標華鑫微納全自動設備項目！

2025-10-11 LH 134

孝感打造全球溫度傳感器高地

轉：在武漢城市圈的北部，一座名為孝感的城市正悄然崛起為傳感器產業的核心區域。依托其獨特的地理位置和政府產業政策的積極支持，孝感已建立起覆蓋汽車、工業及智能傳感系統的完整產業鏈，成為華中地區傳感器產業的重要增長極。2024年，孝感傳感器產業的營收規模突破50億元，成為我國最重要的多功能傳感器生產基地。龍頭企業領航，實現多品類跨越孝感傳感器產業的崛起，始于對汽車智能傳感領域的精準聚焦。華工高理電子有限

2025-09-23 LH 88

臨時鍵合和解鍵合工藝技術研究

轉：超薄晶圓的機械強度低，翹曲度高，為解決其支撐和傳輸過程中碎片率高的問題，同時也為提高產品良率及性能，通常采用臨時鍵合和解鍵合的工藝方法。通過介紹臨時鍵合工藝和解鍵合工藝技術，并根據工藝需求提出了臨時鍵合設備和解鍵合設備的結構和原理。隨著半導體技術的發展，對各種元器件功能、性能和集成度的要求也越來越高，TSV互連和三維堆疊型3D集成已經進入了主流半導體制造，以解決“摩爾定律”物理擴展的局限性，同

2025-09-18 LH 174

Larcomse邀請您參加 SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產業創新展

SEMI-e深圳國際半導體展暨2025集成電路產業創新展，作為極具影響力和專業性的半導體展會，展會立足行業前沿，匯聚超1000家全球優質展商，覆蓋從EDA工具、半導體材料、設備制造到芯片設計、封測應用的全產業鏈生態。特設芯片設計及應用、IC制造、晶圓設備、封測設備、核心零部件及材料、化合物半導體及功率器件等六大主題展區。為半導體制造、集成電路、電子電力、電子制造、顯示制造以及汽車、信息通信、消費電

2025-09-09 LH 149

Larcomse邀請您參加第十三屆半導體設備與核心部件及材料展

半導體設備與核心部件展示會(CSEAC)作為中國半導體行業聚焦“設備與核心部件”領域的標桿性展會始終以“高水平、專業化、國際化”為宗旨，集產品展示、技術交流、產業對接、趨勢研討于一體，致力于為全球半導體產業鏈企業搭建創新成果展示平臺、前沿技術共享平臺與深度合作對接平臺。同期論壇展位平面圖

2025-08-19 LH 146

激光退火工藝在IGBT制造中的應用

激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進行激光快速退火，實現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。隨著IGBT技術發展和薄片加工工藝研發的需要，IGBT背面退火越來越多應用激光退火技術。01IGBT退火技術在垂直方向上，IGBT結構經歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和

2025-08-15 LH 219