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恭喜我司客戶產(chǎn)品順利進(jìn)入比亞迪小米供應(yīng)鏈

4月15日，中瓷電子在互動(dòng)平臺(tái)表示，目前國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾碳化硅汽車芯片已在比亞迪汽車上批量應(yīng)用，未送樣小米汽車測(cè)試，其他客戶也在密接接觸、合作協(xié)商、送樣驗(yàn)證等階段中，出于商業(yè)保護(hù)和與客戶協(xié)議的約定，公司不方便透露具體客戶名稱。據(jù)此前披露，公司目前相關(guān)產(chǎn)能正在建設(shè)中，目前已具備一定生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)23年底月產(chǎn)能達(dá)到5000片，2024年預(yù)計(jì)月產(chǎn)能在5000—10000片，且公司募投項(xiàng)目已進(jìn)行初期投資，產(chǎn)能逐步

2024-04-17 LH 1048

TSSG 法生長(zhǎng) SiC 晶體的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

與PVT法不同的是，TSSG法生長(zhǎng)SiC晶體過(guò)程中固-液界面附近具有更低的生長(zhǎng)溫度和更小的溫度梯度，有助于弱化晶體內(nèi)部應(yīng)力并提高臨界剪切應(yīng)力值。同時(shí)，溶液法長(zhǎng)晶過(guò)程中所釋放的結(jié)晶潛熱比氣相法中釋放的結(jié)晶潛熱更低，可增強(qiáng)界面附近生長(zhǎng)環(huán)境的穩(wěn)定性。上述特點(diǎn)促使TSSG法在制備SiC晶體中表現(xiàn)出多方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。1. 零微管和低位錯(cuò)密度微管是限制SiC材料應(yīng)用的主要障礙之一，被稱為殺手型缺陷，其存在

2024-04-09 LH 796

突發(fā)7.4級(jí)強(qiáng)震！全球GPU、存儲(chǔ)、芯片大震蕩！

臺(tái)灣花蓮縣海域發(fā)生7.3級(jí)地震中國(guó)地震臺(tái)網(wǎng)正式測(cè)定：04月03日07時(shí)58分在臺(tái)灣花蓮縣海域（北緯23.81度，東經(jīng)121.74度）發(fā)生7.3級(jí)地震，震源深度12千米。按照歷史經(jīng)驗(yàn)，地震影響產(chǎn)業(yè)的五個(gè)板塊：（1）臺(tái)灣省芯片cowos封裝板塊，GPU/AI芯片產(chǎn)能。（2）臺(tái)灣省的晶圓廠代工，高階手機(jī)和服務(wù)器芯片。（3）臺(tái)灣省的面板LCD工業(yè)，將持續(xù)影響供給。（4）日韓的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，dram和nand/

2024-04-09 LH 739

光伏IGBT缺貨漲價(jià)替代加速，今年國(guó)產(chǎn)化率將翻倍增長(zhǎng)

國(guó)產(chǎn)IGBT廠商經(jīng)過(guò)過(guò)去一年的測(cè)驗(yàn)和供貨后，低損耗率已經(jīng)能夠達(dá)到光伏逆變器大廠的供貨水準(zhǔn)。- 士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、時(shí)代電氣、楊杰科技、聞泰科技等國(guó)產(chǎn)IGBT廠商正將成為替代英飛凌等海外廠商的種子選手，2022年國(guó)產(chǎn)IGBT替代比例將會(huì)空前之高。- 在產(chǎn)能緊缺、交期拉長(zhǎng)和國(guó)產(chǎn)替代之下，國(guó)產(chǎn)IGBT廠商迎來(lái)強(qiáng)勁的增長(zhǎng)動(dòng)能，2022年國(guó)產(chǎn)IGBT在光伏領(lǐng)域市占率有望從10%左右提升到30%。當(dāng)

2024-03-27 量伙Z 716

半導(dǎo)體專題篇：半導(dǎo)體設(shè)備

文章大綱晶圓制造設(shè)備封裝設(shè)備測(cè)試設(shè)備晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)中的重要組成部分，下面將對(duì)這三種半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)介紹。1. 晶圓制造設(shè)備1.1 晶圓制造設(shè)備的種類晶圓制造設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中最重要的設(shè)備之一，主要分為前道工藝設(shè)備和后道工藝設(shè)備兩類。前道工藝設(shè)備是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要設(shè)備，主要用于晶圓制造環(huán)節(jié)。以下是前道工藝設(shè)備的詳細(xì)介紹：（1）薄膜沉積設(shè)備：薄膜沉積設(shè)備

2024-03-27 lh 1158

性能相當(dāng)于蘋(píng)果M1芯片？華為另一款新芯片曝光

華為計(jì)劃攜帶7顆麒麟芯片全面回歸，包括筆記本電腦處理器和手機(jī)芯片。其中一顆PC麒麟芯片被稱為性能相當(dāng)于蘋(píng)果M1芯片的性能。該芯片具有四個(gè)泰山大核、四個(gè)泰山中核，以及兩個(gè)Maleoon910-10ALU大核和兩個(gè)微核NPU。支持最大32GB LPDDR5-6400內(nèi)存。華為還提及了麒麟9006C芯片組，采用5nm制程工藝，擁有八核ARMCPU，最高主頻可達(dá)3.13GHz，與之前的麒麟9000芯片相似

2024-03-27 lh 893

LarcomSE量伙半導(dǎo)體SEMICON CHINA 2024展會(huì)回顧

2024年3月20日-22日，全球規(guī)模最大、最具影響力及最新技術(shù)熱點(diǎn)全覆蓋的半導(dǎo)體盛宴SEMICON CHINA 2024國(guó)際半導(dǎo)體展在上海新國(guó)際博覽中心成功舉辦，下面用現(xiàn)場(chǎng)圖片回顧一下SEMICON CHINA 2024的盛況。

2024-03-27 lh 920

第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)（簡(jiǎn)報(bào)）

題記：本報(bào)告為第三代半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)簡(jiǎn)報(bào)，主要從本領(lǐng)域的技術(shù)角度出發(fā)，觀察技術(shù)的熱點(diǎn)和趨勢(shì)，以及在第三代半導(dǎo)體器件中發(fā)揮的作用。特別是以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料，其大的禁帶寬度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和漂移速率等優(yōu)良材料特性，可以滿足現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)對(duì)高功率密度、高頻、高效性能的持續(xù)需求，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和人民生活中有著豐富的應(yīng)用場(chǎng)景。一、第三代半導(dǎo)體發(fā)展歷程1.第三代半導(dǎo)體介紹及歷程第一代半

2024-03-27 lh 1470