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光伏IGBT缺貨漲價替代加速，今年國產化率將翻倍增長

國產IGBT廠商經過過去一年的測驗和供貨后，低損耗率已經能夠達到光伏逆變器大廠的供貨水準。- 士蘭微、斯達半導、新潔能、時代電氣、楊杰科技、聞泰科技等國產IGBT廠商正將成為替代英飛凌等海外廠商的種子選手，2022年國產IGBT替代比例將會空前之高。- 在產能緊缺、交期拉長和國產替代之下，國產IGBT廠商迎來強勁的增長動能，2022年國產IGBT在光伏領域市占率有望從10%左右提升到30%。當

2024-03-27 量伙Z 564

半導體專題篇：半導體設備

文章大綱晶圓制造設備封裝設備測試設備晶圓制造設備、封裝設備和測試設備是半導體設備產業中的重要組成部分，下面將對這三種半導體設備進行詳細介紹。1. 晶圓制造設備1.1 晶圓制造設備的種類晶圓制造設備是半導體生產過程中最重要的設備之一，主要分為前道工藝設備和后道工藝設備兩類。前道工藝設備是半導體制造過程中的重要設備，主要用于晶圓制造環節。以下是前道工藝設備的詳細介紹：（1）薄膜沉積設備：薄膜沉積設備

2024-03-27 lh 1103

華為計劃攜帶7顆麒麟芯片全面回歸，包括筆記本電腦處理器和手機芯片。其中一顆PC麒麟芯片被稱為性能相當于蘋果M1芯片的性能。該芯片具有四個泰山大核、四個泰山中核，以及兩個Maleoon910-10ALU大核和兩個微核NPU。支持最大32GB LPDDR5-6400內存。華為還提及了麒麟9006C芯片組，采用5nm制程工藝，擁有八核ARMCPU，最高主頻可達3.13GHz，與之前的麒麟9000芯片相似

2024-03-27 lh 862

LarcomSE量伙半導體SEMICON CHINA 2024展會回顧

2024年3月20日-22日，全球規模最大、最具影響力及最新技術熱點全覆蓋的半導體盛宴SEMICON CHINA 2024國際半導體展在上海新國際博覽中心成功舉辦，下面用現場圖片回顧一下SEMICON CHINA 2024的盛況。

2024-03-27 lh 906

第三代半導體技術發展趨勢（簡報）

題記：本報告為第三代半導體技術趨勢簡報，主要從本領域的技術角度出發，觀察技術的熱點和趨勢，以及在第三代半導體器件中發揮的作用。特別是以GaN和SiC為代表的第三代半導體材料，其大的禁帶寬度、高擊穿場強和高電子飽和漂移速率等優良材料特性，可以滿足現代電力電子系統對高功率密度、高頻、高效性能的持續需求，在國民經濟和人民生活中有著豐富的應用場景。一、第三代半導體發展歷程1.第三代半導體介紹及歷程第一代半

2024-03-27 lh 1318

銅互聯，還是無法替代？

近日，英特爾在2022 IEEE VLSI 技術和電路研討會上，展示了許多涉及其Intel 4（10nm）工藝的論文。其中一點就是，新的intel 4選用了銅互連連接。早前英特爾原本打算在10nm芯片互連中采用鈷（Co）這種新材料，但是眾所周知，英特爾在10nm工藝經歷了挫敗，業界認為，與鈷的集成問題可能是英特爾10nm延遲問題的部分原因。過去我們往往只關心晶體管的大小，但是現在隨著芯片微縮逐漸來

2024-03-26 441

起底新加坡半導體

據日前消息透露，晶圓代工巨頭臺積電正考慮在新加坡建立一家芯片制造廠。據悉，此次初步談判的是一家大型12英寸晶

2024-03-26 量伙z 496

1萬伏！豐田GaN新技術明年量產

2月13日，據日本媒體報道，豐田合成已經開發了一種可以承受10000V或更高電壓的氮化鎵器件，預計2024年將會量產，目標應用包括汽車OBC，甚至是直流微電網。此前報道提到，豐田合成這項氮化鎵技術采用了全新結構——極性超結（PSJ）GaN FET(.鏈接.)。今天，我們來分析一下這項技術是如何實現的，以及它的最新進展。豐田極性超結氮化鎵擊穿電壓高達1萬伏如今市面上基于HEMT結構的橫向GaN功率器

2024-03-26 量伙Z 382