邀請您參加SEMICON CHINA 2025

2025-03-21 LH 604

互補場效應晶體管（CFET）

隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環繞柵或圍柵（GAA, Gate-all-Around）全環繞柵極晶體管(GAAFET)等先進結構，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進一步微縮的挑戰日益顯現。為了延續摩爾定律的發展趨勢，并滿足未來高性能計算的需求，業界正積極研發下一代晶體管

2025-03-11 LH 594

北大研究團隊與合作者實現不同原子層數量子點的高效LED

量子點自20世紀80年代被發現以來，已廣泛應用于顯示等多個領域。北京大學深圳研究生院新材料學院王立剛特聘研究員/助理教授課題組、材料科學與工程學院周歡萍教授課題組、化學與分子工程學院嚴純華院士/孫聆東教授課題組與劍橋大學卡文迪許實驗室Richard Friend院士/爵士課題組合作，實現了不同原子層數量子點的高效發光二極管（LED）。該LED的電致發光峰值在607~728nm范圍內可控調節，并實現

2025-03-11 LH 140

射頻前端芯片分析：國內與海外的差距及影響

（轉）在當今的通信技術領域，射頻前端設計至關重要，它是實現無線信號收發的關鍵環節，其性能直接影響著通信設備的質量和用戶體驗。射頻前端設計公司由于產品具有技術密集、更新換代快等特性，需要持續的高研發投入來保持競爭力。射頻前端芯片產品涉及多種復雜技術，如濾波器、功率放大器、低噪聲放大器等的設計與制造工藝。這些技術不僅要滿足不斷提升的通信標準，如從4G 到 5G 乃至未來 6G 的演進，還要適應各類終端

2025-02-06 LH 490

完成SEMICON/FPD China 2025觀眾預注冊 抽三星折疊手機

SEMICON/FPD China 2025 觀眾預注冊SEMICONChina/FPD China2025將于2025年3月26日-28日在上海新國際博覽中心N1-N5、E6-E7、T0-T3館盛大舉行。海內外半導體產業鏈的領軍企業齊聚一堂，是您把握產業趨勢、了解最新技術、找到商業伙伴的必選之地！2025年3月7日前注冊的觀展觀眾，入場胸牌提前派送，省去現場排隊煩惱。SEMICON China

2025-01-03 lh 358

量伙半導體恭祝大家元旦快樂！

2025-01-03 LH 133

舊聞新看：一文看懂算力核心HBM的技術特點

英偉達最新推出的NVIDIA HGX™ H200，該平臺基于NVIDIA Hopper架構，是首款提供HBM3e內存（速率更快、容量更大）的GPU，以加速生成式AI和大語言模型，同時推進HPC工作負載的科學計算。不僅如此，英偉達計劃2024年推出Blackwell架構B100 GPU。分析師預期，從B100架構開始，英偉達將采用Chiplet技術，對臺積電先進封裝將采用CoWoS-L技術。且不止一

2025-01-02 LH 725

全環繞柵極晶體管(GAAFET)

GAAFET的誕生隨著半導體技術的發展，摩爾定律逐漸逼近物理極限。當晶體管尺寸縮小到7納米以下時，傳統的平面MOSFET和FinFET遇到了難以克服的技術瓶頸，如短溝道效應（SCEs），這導致了漏電流增加、閾值電壓不穩定等問題。從平面晶體管到FinFET的演變為了繼續實現邏輯縮放超越5納米技術節點，并解決FinFET在進一步縮小時遇到的問題，行業開始探索新的晶體管架構——環繞柵極納米片場效應晶體管

2024-12-18 LH 1113