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半導體芯片制造中“退火工藝（Thermal Annealing）”技術的詳解

轉：愛在七夕時退火工藝（Thermal Annealing）技術是半導體制造中的一個關鍵步驟，它通過在高溫下處理硅片來改善材料的電學和機械性能。退火的主要目的是修復晶格損傷、激活摻雜劑、改變薄膜特性以及形成金屬硅化物。隨著半導體技術的不斷發展，特別是特征尺寸的持續減小，對退火工藝（Thermal Annealing）技術的要求也越來越高。本期中主要跟大家分享的是：退火工藝（Thermal Anne

2024-10-14 LH 10212

EUV與真空：半導體光刻工藝中不可或缺的真空系統

以下文章來源于真空聚焦，作者真空聚焦我們都知道，半導體芯片產業鏈分為IC設計、IC制造、IC封測三大環節。光刻的主要作用是將掩模版上的芯片電路圖轉移到硅片上，是IC制造的核心環節，也是整個IC制造中最復雜、最關鍵的工藝步驟。芯片在生產過程中一般需要進行20~30次光刻，耗費時間約占整個硅片工藝的40～60%，成本極高，約為整個硅片制造工藝的1/3。▲通過激光或電子束直接寫在光掩模板上，然后用激光輻

2024-09-11 LH 3356

傳感器國產自主研發趨勢下，毫米波雷達中的機會在哪里？（深度分析）

一、毫米波雷達市場規模測算1)整體乘用車市場毫米波雷達的增長不僅來源于雷達配置滲透率的提升，還很大程度上得益于多雷達方案滲透率的快速提升。特別是NOA（Navigate on Autopilot，領航輔助駕駛）、行泊一體的落地以及未來高階自動駕駛方案的落地，將會直接推動5R（指單車配置毫米波雷達數量為5個）方案安裝量的上升。①供應端：國內外Tier1供應商行泊一體方案已大量落地，且已發布多種L3方

2024-08-08 LH 468

氧化鎵會取代碳化硅嗎？一文看懂氧化鎵

近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶，因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。并且，在同等規格下，寬禁帶材料可以制造die

2024-07-02 LH 917

半導體制造過程中有哪些污染物？

污染物是半導體制造過程中的頭號公敵，為了應對這一工地半導體廠都會有潔凈室，氣體檢測儀，機臺內部也會有微環境來防止污染物進入到硅片上面。而污染物也可能成為后面制程中的致命缺陷。污染物大概有以下幾種1.微粒 particle2.金屬離子3.化學物質4.細菌5.空氣中的分子污染微粒：半導體制造中的特征尺寸是納米級別的，因此環境中的微粒控制對產品的良率有著及其重要的影響。有可能使得器件短路電阻增加，也可

2024-06-04 LH 1224

基于聚焦叉指換能器的環形SAW陀螺儀（MEMS）

聲表面波（SAW）陀螺儀利用一種被稱為SAW陀螺效應的現象來測量旋轉角速度。由于簡化了傳統MEMS陀螺儀所需的懸浮振動機制，SAW陀螺儀非常適合在惡劣環境中應用。據麥姆斯咨詢報道，近期，西北工業大學機電學院常洪龍教授團隊首次提出了一種使用聚焦叉指換能器（FIDT）的新型環形駐波模式SAW陀螺儀。傳統SAW陀螺儀使用線性IDT產生聲表面波，會導致波束偏轉和能量耗散，而該研究團隊使用FIDT根據結構特

2024-05-06 LH 246

TSSG 法生長 SiC 晶體的技術優勢

與PVT法不同的是，TSSG法生長SiC晶體過程中固-液界面附近具有更低的生長溫度和更小的溫度梯度，有助于弱化晶體內部應力并提高臨界剪切應力值。同時，溶液法長晶過程中所釋放的結晶潛熱比氣相法中釋放的結晶潛熱更低，可增強界面附近生長環境的穩定性。上述特點促使TSSG法在制備SiC晶體中表現出多方面的技術優勢。1. 零微管和低位錯密度微管是限制SiC材料應用的主要障礙之一，被稱為殺手型缺陷，其存在

2024-04-09 LH 798

半導體專題篇：半導體設備

文章大綱晶圓制造設備封裝設備測試設備晶圓制造設備、封裝設備和測試設備是半導體設備產業中的重要組成部分，下面將對這三種半導體設備進行詳細介紹。1. 晶圓制造設備1.1 晶圓制造設備的種類晶圓制造設備是半導體生產過程中最重要的設備之一，主要分為前道工藝設備和后道工藝設備兩類。前道工藝設備是半導體制造過程中的重要設備，主要用于晶圓制造環節。以下是前道工藝設備的詳細介紹：（1）薄膜沉積設備：薄膜沉積設備

2024-03-27 lh 1172