<abbr id="ryxv5"><label id="ryxv5"></label></abbr>
        <menu id="ryxv5"></menu>
      1. 一区二区亚洲人妻精品,成人拍拍拍无遮挡免费视频,国产午夜亚洲精品国产成人,国产精品中文字幕二区,深夜福利资源在线观看,午夜av高清在线观看,国产精品无码a∨麻豆,精品国产高清中文字幕
        • 恭喜我司客戶產品順利進入比亞迪小米供應鏈

          4月15日,中瓷電子在互動平臺表示,目前國聯萬眾碳化硅汽車芯片已在比亞迪汽車上批量應用,未送樣小米汽車測試,其他客戶也在密接接觸、合作協商、送樣驗證等階段中,出于商業保護和與客戶協議的約定,公司不方便透露具體客戶名稱。據此前披露,公司目前相關產能正在建設中,目前已具備一定生產能力,預計23年底月產能達到5000片,2024年預計月產能在5000—10000片,且公司募投項目已進行初期投資,產能逐步

          2024-04-17 LH 1048

        • TSSG 法生長 SiC 晶體的技術優勢

          與PVT法不同的是,TSSG法生長SiC晶體過程中固-液界面附近具有更低的生長溫度和更小的溫度梯度,有助于弱化晶體內部應力并提高臨界剪切應力值。同時,溶液法長晶過程中所釋放的結晶潛熱比氣相法中釋放的結晶潛熱更低,可增強界面附近生長環境的穩定性。上述特點促使TSSG法在制備SiC晶體中表現出多方面的技術優勢。1. 零微管和低位錯密度微管是限制SiC材料應用的主要障礙之一,被稱為殺手型缺陷,其存在

          2024-04-09 LH 796

        • 突發7.4級強震!全球GPU、存儲、芯片大震蕩!

          臺灣花蓮縣海域發生7.3級地震中國地震臺網正式測定:04月03日07時58分在臺灣花蓮縣海域(北緯23.81度,東經121.74度)發生7.3級地震,震源深度12千米。按照歷史經驗,地震影響產業的五個板塊:(1)臺灣省芯片cowos封裝板塊,GPU/AI芯片產能。(2)臺灣省的晶圓廠代工,高階手機和服務器芯片。(3)臺灣省的面板LCD工業,將持續影響供給。(4)日韓的存儲產業,dram和nand/

          2024-04-09 LH 739

        • 光伏IGBT缺貨漲價替代加速,今年國產化率將翻倍增長

          國產IGBT廠商經過過去一年的測驗和供貨后,低損耗率已經能夠達到光伏逆變器大廠的供貨水準。- 士蘭微、斯達半導、新潔能、時代電氣、楊杰科技、聞泰科技等國產IGBT廠商正將成為替代英飛凌等海外廠商的種子選手,2022年國產IGBT替代比例將會空前之高。- 在產能緊缺、交期拉長和國產替代之下,國產IGBT廠商迎來強勁的增長動能,2022年國產IGBT在光伏領域市占率有望從10%左右提升到30%。當

          2024-03-27 量伙Z 716

        • 半導體專題篇:半導體設備

          文章大綱 晶圓制造設備封裝設備測試設備晶圓制造設備、封裝設備和測試設備是半導體設備產業中的重要組成部分,下面將對這三種半導體設備進行詳細介紹。1. 晶圓制造設備1.1 晶圓制造設備的種類晶圓制造設備是半導體生產過程中最重要的設備之一,主要分為前道工藝設備和后道工藝設備兩類。前道工藝設備是半導體制造過程中的重要設備,主要用于晶圓制造環節。以下是前道工藝設備的詳細介紹:(1)薄膜沉積設備:薄膜沉積設備

          2024-03-27 lh 1158

        • 性能相當于蘋果M1芯片?華為另一款新芯片曝光

          華為計劃攜帶7顆麒麟芯片全面回歸,包括筆記本電腦處理器和手機芯片。其中一顆PC麒麟芯片被稱為性能相當于蘋果M1芯片的性能。該芯片具有四個泰山大核、四個泰山中核,以及兩個Maleoon910-10ALU大核和兩個微核NPU。支持最大32GB LPDDR5-6400內存。華為還提及了麒麟9006C芯片組,采用5nm制程工藝,擁有八核ARMCPU,最高主頻可達3.13GHz,與之前的麒麟9000芯片相似

          2024-03-27 lh 893

        • LarcomSE量伙半導體SEMICON CHINA 2024展會回顧

          2024年3月20日-22日,全球規模最大、最具影響力及最新技術熱點全覆蓋的半導體盛宴SEMICON CHINA 2024國際半導體展在上海新國際博覽中心成功舉辦,下面用現場圖片回顧一下SEMICON CHINA 2024的盛況。

          2024-03-27 lh 920

        • 第三代半導體技術發展趨勢(簡報)

          題記:本報告為第三代半導體技術趨勢簡報,主要從本領域的技術角度出發,觀察技術的熱點和趨勢,以及在第三代半導體器件中發揮的作用。特別是以GaN和SiC為代表的第三代半導體材料,其大的禁帶寬度、高擊穿場強和高電子飽和漂移速率等優良材料特性,可以滿足現代電力電子系統對高功率密度、高頻、高效性能的持續需求,在國民經濟和人民生活中有著豐富的應用場景。一、第三代半導體發展歷程1.第三代半導體介紹及歷程第一代半

          2024-03-27 lh 1470

        量伙公眾號

        量伙百家號