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171億元！國產(chǎn)龍頭存儲廠，落戶浦東！

據(jù)上海土地市場官網(wǎng)消息，長鑫科技子公司芯浦天英智能科技（上海）有限公司6月份與上海政府簽署了土地購買合同，以建設(shè)高端封測存儲芯片工廠。信息顯示，芯浦天英以1.86億元的價格，在上海市浦東新區(qū)金橋南區(qū)競得浦東新區(qū)金橋南區(qū)PDP0-0407單元01-04地塊，面積為130704.22㎡，用途為工業(yè)用地。據(jù)芯浦天英產(chǎn)線建設(shè)項目方案設(shè)計顯示，新項目規(guī)劃產(chǎn)能為高端封測存儲芯片，主要涉及工藝為先進(jìn)封裝。據(jù)悉，

2024-07-02 LH 2133

國產(chǎn)Micro OLED面板廠狂奔

2023年6月，蘋果正式發(fā)布公司第一款MR設(shè)備Vision Pro，該設(shè)備內(nèi)屏采用了4K分辨率、像素密度達(dá)3000PPI以上的Micro OLED屏幕，Vision Pro因此成為了首款使用Micro OLED實現(xiàn)雙目8K效果的產(chǎn)品。圖片來源：蘋果由于蘋果MR設(shè)備的應(yīng)用，Micro OLED再次成為了顯示行業(yè)焦點技術(shù)。實際上在近年VR/AR等XR設(shè)備陳出不窮的情況下，Micro OLED在微顯示領(lǐng)

2024-06-05 LH 593

美國打壓中國半導(dǎo)體，韓國三星和SK海力士很受傷

盡管美國不斷努力削弱中國的技術(shù)進(jìn)步，但來自韓國的報道表明一個令人擔(dān)憂的現(xiàn)實：中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迅速趕超，對韓國在中國市場的主導(dǎo)地位構(gòu)成了重大挑戰(zhàn)。以三星和SK海力士為代表的韓國企業(yè)很受傷。與最初的預(yù)期相反，美國的壓力并沒有顯著削弱中國的工業(yè)競爭力。美國的限制加速了中國的自給自足進(jìn)程，尤其是成熟制程的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，和智能手機等終端產(chǎn)品。事實上，中國不僅在智能手機和顯示器領(lǐng)域鞏固了地位，而且在關(guān)鍵的半

2024-05-06 LH 199

突發(fā)7.4級強震！全球GPU、存儲、芯片大震蕩！

臺灣花蓮縣海域發(fā)生7.3級地震中國地震臺網(wǎng)正式測定：04月03日07時58分在臺灣花蓮縣海域（北緯23.81度，東經(jīng)121.74度）發(fā)生7.3級地震，震源深度12千米。按照歷史經(jīng)驗，地震影響產(chǎn)業(yè)的五個板塊：（1）臺灣省芯片cowos封裝板塊，GPU/AI芯片產(chǎn)能。（2）臺灣省的晶圓廠代工，高階手機和服務(wù)器芯片。（3）臺灣省的面板LCD工業(yè)，將持續(xù)影響供給。（4）日韓的存儲產(chǎn)業(yè)，dram和nand/

2024-04-09 LH 725

光伏IGBT缺貨漲價替代加速，今年國產(chǎn)化率將翻倍增長

國產(chǎn)IGBT廠商經(jīng)過過去一年的測驗和供貨后，低損耗率已經(jīng)能夠達(dá)到光伏逆變器大廠的供貨水準(zhǔn)。- 士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、時代電氣、楊杰科技、聞泰科技等國產(chǎn)IGBT廠商正將成為替代英飛凌等海外廠商的種子選手，2022年國產(chǎn)IGBT替代比例將會空前之高。- 在產(chǎn)能緊缺、交期拉長和國產(chǎn)替代之下，國產(chǎn)IGBT廠商迎來強勁的增長動能，2022年國產(chǎn)IGBT在光伏領(lǐng)域市占率有望從10%左右提升到30%。當(dāng)

2024-03-27 量伙Z 564

性能相當(dāng)于蘋果M1芯片？華為另一款新芯片曝光

華為計劃攜帶7顆麒麟芯片全面回歸，包括筆記本電腦處理器和手機芯片。其中一顆PC麒麟芯片被稱為性能相當(dāng)于蘋果M1芯片的性能。該芯片具有四個泰山大核、四個泰山中核，以及兩個Maleoon910-10ALU大核和兩個微核NPU。支持最大32GB LPDDR5-6400內(nèi)存。華為還提及了麒麟9006C芯片組，采用5nm制程工藝，擁有八核ARMCPU，最高主頻可達(dá)3.13GHz，與之前的麒麟9000芯片相似

2024-03-27 lh 862

1萬伏！豐田GaN新技術(shù)明年量產(chǎn)

2月13日，據(jù)日本媒體報道，豐田合成已經(jīng)開發(fā)了一種可以承受10000V或更高電壓的氮化鎵器件，預(yù)計2024年將會量產(chǎn)，目標(biāo)應(yīng)用包括汽車OBC，甚至是直流微電網(wǎng)。此前報道提到，豐田合成這項氮化鎵技術(shù)采用了全新結(jié)構(gòu)——極性超結(jié)（PSJ）GaN FET(.鏈接.)。今天，我們來分析一下這項技術(shù)是如何實現(xiàn)的，以及它的最新進(jìn)展。豐田極性超結(jié)氮化鎵擊穿電壓高達(dá)1萬伏如今市面上基于HEMT結(jié)構(gòu)的橫向GaN功率器

2024-03-26 量伙Z 382

Intel CPU工藝上演奇跡：6個季度內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)

在先進(jìn)工藝上，Intel這兩年被三星、臺積電領(lǐng)先了，但在CEO基辛格的帶領(lǐng)下，Intel目標(biāo)是2025年重新成為半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，還定下了4年內(nèi)掌握5代CPU工藝的宏大目標(biāo)，如今已經(jīng)是2023年了，距離目標(biāo)只有2年。這五種工藝是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A（等效2nm，其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A(等效1.8nm)，其中Intel 7就是當(dāng)前1

2024-03-26 335