SiC碳化硅激光退火設(shè)備
產(chǎn)地：中國
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簡介（Description）：
碳化硅(SiC)材料的寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速度、高擊穿電場等特性決定了其在高溫、大功率領(lǐng)域的巨大潛力。為了使SiC材料的性能能夠得到充分發(fā)揮，目前需解決的一個關(guān)鍵問題是歐姆接觸的制備。
傳統(tǒng)制備SiC晶圓歐姆接觸的方法是在襯底表面沉積金屬電極層后進(jìn)行高溫?zé)嵬嘶稹５牵瑐鹘y(tǒng)的高溫?zé)嵬嘶鸸に囋跍p薄襯底中存在著很多不足，如:退火范圍不可控、襯底與沉積金屬間容易發(fā)生侵蝕、影響界面形貌和物質(zhì)分布均勻性等問題。因此，行業(yè)中需要一種退火局域化及退火深度可控的新型退火方案。
量伙的SiC晶圓激光退火設(shè)備，通過利用高均一性激光整形系統(tǒng)，對重?fù)诫sSiC晶圓表面沉積的過渡金屬進(jìn)行退火，制備良好均一的歐姆接觸，是制備高性能SiC晶圓工藝制程的重要一環(huán)。激光退火技術(shù)局域化和深度可控的優(yōu)秀特性，適用于SiC減薄晶圓的退火處理，有效地克服傳統(tǒng)高溫?zé)嵬嘶鸸に嚨耐措y點(diǎn)。同時，其微/納秒量級的退火升溫速度，極高地保證了SiC晶圓金屬-半導(dǎo)體界面C,Si,Ni三種元素的均勻分布，獲得比傳統(tǒng)高溫?zé)嵬嘶鸸に嚫臃€(wěn)定、均勻的歐姆接觸。
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設(shè)備規(guī)格（ Specifications）：
1、支持6&8inch，標(biāo)準(zhǔn)片&薄片&鍵合片&翹曲片；
2、雙臂伯努利機(jī)械手；
3、紫外固化激光器，波長351nm，能量密度≥10J/cm2；
4、密封腔體，氮?dú)?amp;抽排，建立時間＜28s@100ppm；
5、比接觸電阻率~10^-5 Ω·cm2；
6、退火均勻性小于2%（3σ）；
7、產(chǎn)率：≥8pcs/h@6 inch，≥5pcs/h@8 inch。
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