LH-RTA-D-H快速退火爐RTP
產(chǎn)地：中國
型號：LH-RTA-D-H
簡介（Description）：
DH系列半自動快速退火爐，軟件控制取放片，適用于最大8英寸（200mm*200mm）及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等（包括但不限于，磷化銦，砷化鎵，碳化硅，氮化鎵等各類襯底和外延片），擁有出色的熱源和結(jié)構(gòu)設(shè)計。獨有專利的溫度控制系統(tǒng)，能更為精準(zhǔn)進(jìn)行溫控操作，可視化軟件平臺，實時對腔室溫度進(jìn)行監(jiān)控并矯正，保證工藝的穩(wěn)定性和重復(fù)性。雙面加熱方式與單面加熱相比，可以大幅減小圖案加載效應(yīng)，晶片上熱的均勻性將更好。1-5路氣體配置（可定制），可抽真空腔體。設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到95%以上，配件渠道豐富。
定義（Definition）：
快速熱處理（RTP）設(shè)備是一種單片熱處理設(shè)備，可以將晶圓的溫度快速升至工藝所需溫度（200-1300℃），并且能夠快速降溫，升/降溫度速率約20-250℃。RTP設(shè)備還具有其他優(yōu)良的工藝性能，如極佳的熱預(yù)算和更好的表面均勻性，尤其對大尺寸的晶圓片。多用于修復(fù)離子注入后的損傷，多腔體規(guī)格可以同時運行不同的工藝過程。
名詞解釋RTA：Rapid Thermal Annealing 快速熱退火。
名詞解釋RTO：Rapid Thermal Oxidation 快速熱氧化，主要用于生長薄絕緣層。
名詞解釋RTN：Rapid Thermal Nitridation 快速熱氮化。
推薦適用場景：碳化硅氮化鎵等化合物外延制造，IGBT、MOSFET功率器件研發(fā)制造，MEMS研發(fā)制造,LED芯片，miniLED，microLED等。
設(shè)備規(guī)格（Specifications）：
1、最大8英寸 Wafer（單腔體最大滿足200mm*200mm材料進(jìn)行加熱處理）；
2、冷卻方式包括水冷和氮氣吹掃（循環(huán)常溫水冷卻，軟件可視化監(jiān)控管理，防止外壁過熱，內(nèi)置氮氣管路，吹掃腔體，保持清潔，極速降溫）；
3、MFC控制，1-5路制程氣體。（品牌MFC控制器，內(nèi)置多路氣氛管路，可定制開通，滿足各類測試工藝需求）；
4、退火溫度范圍 300℃-1400℃（配置高溫計）；
5、升溫速率 ≦150℃/秒（升溫速度隨不同的材料及裝置會有差異，標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)是裸片放置內(nèi)測量后得出，150攝氏度每秒是常規(guī)溫度速率，加熱設(shè)備的極限會更高）；
6、Windows操作系統(tǒng)；（高性能工業(yè)電腦，搭載windows操作系統(tǒng)，larcomse專屬軟件操作，上手簡單，系統(tǒng)功能強大，各類數(shù)據(jù)可視化程度高，內(nèi)容豐富，亦可定制軟件模塊）；
7、配置真空系統(tǒng)（有定壓功能，滿足常規(guī)真空要求，使用分子泵能達(dá)到更高的真空度，能定制真空度）；
8、多只紅外鹵素光源（根據(jù)需求可配置數(shù)量不等的燈管，以滿足工藝加熱要求）。
設(shè)備主要工藝應(yīng)用（Application）：
●快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
●離子注入/接觸退火；
●高溫退火；
●高溫擴(kuò)散;
●金屬合金；
●熱氧化處理。
設(shè)備主要應(yīng)用領(lǐng)域（Field）：
●化合物半導(dǎo)體（磷化銦、砷化鎵、氮化物、碳化硅等）；
●多晶硅；
●太陽能電池片；
●MEMS等傳感器；
●二極管、MOSFET及IGBT等功率器件；
●LED、CMOS等光電器件；
●IC晶圓。
