IGBT激光退火設備
產地：中國
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簡介（Description）：
IGBT激光退火設備，是專為半導體晶圓退火而設計，采用高能激光束進行精確處理。退火，這一熱處理工藝，在半導體器件生產中扮演著至關重要的角色。離子注入工藝雖能實現硅晶圓中的特定摻雜，但雜質離子對硅原子的晶格損傷卻不可避免。為了修復這些損傷并激活雜質離子的電活性，加熱處理成為不可或缺的環節，這就是退火的本質所在。
激光退火設備通過將特定形狀、能量均勻的激光束斑投射到晶圓上，借助運動臺實現晶圓的精準掃描。晶圓吸收激光能量后，局部迅速升溫至高溫狀態，進而促使雜質原子在晶格中擴散并占據適當位置，實現激活目的，快速冷卻使得晶格原子重新排列，完成整片晶圓的退火加工。
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設備規格（ Specifications）：
1、支持6&12 inch，標準片&薄片&鍵合片&翹曲片；
2、雙臂伯努利機械手；
3、雙綠光固化激光器，波長527nm，（紅光808nm選配）；
4、能量密度≥5J/cm2；
5、激活率≥90%；
6、退火均勻性＜2%（3σ）；
7、產率：≥14pcs/h@8 inch，≥7pcs/h@12 inch。
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